陈说称三星 3nm 芯片良率已经逾越台积电-洗髓静容网

陈说称三星 3nm 芯片良率已经逾越台积电

时间：2024-10-26 16:29:57 来源：洗髓静容网作者：知识阅读：417次

IT之家 7 月 18 日新闻，陈说称星凭证 Hi Investment & Securities 机构克日宣告的芯片陈说，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率良率抵达了 60%，高于台积电（55%）。已经逾

报道称三星鼎力睁开 3nm，台积不断提升破费工艺、陈说称星后退破费良率，芯片当初已经将良率提升到 60%，良率该媒体以为三星会在超先进芯片制作技术上压倒台积电。已经逾

陈说中也指出三星当初在 4nm 工艺方面良率为 75%，台积以及台积电（80%）存在差距，陈说称星不外经由发力 3nm ，芯片有望在未来逾越台积电。良率

陈说中还指出由于台积电的已经逾大部份定单都被苹果预订，英伟达、台积高通等公司都对于三星的第二代 3nm（SF3）工艺感兴趣。

IT之家此前报道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上宣告的最新工艺技术道路图，该公司妄想在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还宣告了 SF2 工艺的一些特色。返回搜狐，魔难更多

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